- Ssiliconen inhoud:Het siliciumgehalte van metaalsilicium 1101 moet gewoonlijk hoger zijn dan 99,99%, en het is een siliciummateriaal met ultrahoge zuiverheid dat wordt gebruikt om producten te produceren met hoge zuiverheidseisen (zoals monokristallijn silicium en polysilicium).
- Ijzergehalte:IJzer, als belangrijkste onzuiverheidselement, moet strikt worden gecontroleerd. Het ijzergehalte in metaal silicium 1101 mag doorgaans niet meer dan 0,1% bedragen.
- Aluminium inhoud:Het aluminiumgehalte heeft een grote invloed op de elektrische eigenschappen en corrosieweerstand van silicium, en het aluminiumgehalte van metaal silicium 1101 moet minder dan 0,01% zijn.
- Calciumgehalte:Als onzuiverheidselement zal de aanwezigheid van calcium de mechanische sterkte en duurzaamheid van silicium beïnvloeden, en het gehalte mag niet meer dan 0,01% bedragen.
- Fosforgehalte:Fosfor is een van de schadelijke onzuiverheden in silicium, die de elektrische geleidbaarheid van silicium beïnvloedt, en vereist gewoonlijk een fosforgehalte van minder dan 0,001%.
- Zwavelgehalte:Het zwavelgehalte moet strikt worden gecontroleerd, omdat dit de brosheid van silicium zal vergroten, en het zwavelgehalte in metaalsilicium 1101 mag niet meer dan 0,001% bedragen.
- Koolstofgehalte:Koolstofonzuiverheden kunnen de elektronische eigenschappen van silicium beïnvloeden, dus een koolstofgehalte van minder dan 0,005% is vereist.
- Chloorgehalte:Het chloorgehalte moet strikt worden gecontroleerd bij de productie van silicium met een hoge zuiverheidsgraad, waarvoor doorgaans minder dan 0,001% nodig is.
3. Fysieke prestatietest(Wat is de kwaliteitsinspectienorm van siliciummetaal 1101?)
- Deeltjesgrootteverdeling:Siliciummetaal 1101 wordt meestal verwerkt tot deeltjes of poeder en de deeltjesgrootteverdeling moet voldoen aan de eisen van gebruikers. Typische deeltjesgroottes variëren van 1-10mm, en specifieke toepassingen vereisen mogelijk een nauwkeurigere verdeling.
- Dichtheid en zuiverheidsuniformiteit:De dichtheid moet binnen het standaardbereik liggen om ervoor te zorgen dat er geen duidelijke defecten in het materiaal aanwezig zijn en dat het uniforme fysieke eigenschappen heeft.
- Inductief gekoppelde plasma-emissiespectroscopie (ICP-OES):Wordt gebruikt om sporenelementen in silicium te detecteren, inclusief onzuiverheden zoals ijzer, aluminium en calcium.
- Inductief gekoppelde plasmamassaspectrometrie (ICP-MS):Nauwkeurige bepaling van zeer lage niveaus van onzuiverheidselementen zoals fosfor en zwavel.
- Chemische analyse:Traditionele natchemische analyse wordt gebruikt om de zuiverheid van silicium te detecteren, waardoor het gehalte aan hoofdelementen en onzuiverheden nauwkeurig kan worden bepaald.
- Röntgenfluorescentiespectroscopie (XRF):Voor de snelle detectie van belangrijke elementen en onzuiverheden in silicium, vooral voor kwaliteitscontrole in het productieproces.
- Analyse van deeltjesgrootte:De deeltjesgrootteverdeling wordt bepaald door een laserdeeltjesgrootte-analysator om ervoor te zorgen dat deze aan de gebruikersvereisten voldoet.
Bent u geïnteresseerd, neem dan hieronder contact met ons op.